2SA1163 CG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-120V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
audio frequency general purpose amplifier applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) ? High voltage ： VCEO = ?120 V ? Excellent hFE linearity: hFE (IC = ?0.1 mA)/hFE (IC = ?2 mA) = 0.95 (typ.) ? High hFE: hFE = 200~700 ? Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ? Complementary to 2SC2713 ? Small package APPLICATIONS ? Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| 描述与应用 |
音频通用放大器应用 特点 ?TOSHIBA晶体管的硅PNP外延式（PCT的进程） ?高电压VCEO=-120V ?优秀HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） ?高HFE：HFE= 200?700 ?低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝（最大） ?互补2SC2713 ?小型封装 应用 ?音频通用放大器应用 |
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