2SA1213-O NO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon PNP Epitaxial Type Power Amplifier Applications Power Switching Applications ? Low saturation voltage: VCE (sat) = ?0.5 V (max) (IC = ?1 A) ? High speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) ? Small flat package ? PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) ? Complementary to 2SC2873 |
| 描述与应用 |
硅PNP外延型 功率放大器应用 电源开关应用 ?低饱和电压VCE（sat）=-0.5 V（最大值）（IC=-1 A） ?高速开关时间：TSTG=1.0微秒（典型值） ?小型扁平封装 ?PC=1.0?2.0 W（安装在陶瓷基板上） ?互补2SC2873 |
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