2SA1226 E4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-30mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-90mV |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
High frequency amplifier PNP silicon epitaxial transistor mini mold high gain bandwidth product fT =400 MHz； low output capacitance ； low noise |
| 描述与应用 |
高频放大器 PNP硅外延晶体管 小型模具 高增益带宽乘积fT=400兆赫; 低输出电容; 低噪音 |
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