2SA1257 G5 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-80mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
130MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
135~270 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP/NPN epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching, AF power amp, 100W output predriver application high breakdown voltage； small output capacitance |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高压开关，自动对焦100W输出功放，前级驱动器应用 击穿电压高; 小的输出电容 |
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