2SA1312 ABG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-120V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
silicon PNP epitaxial type audio frequency low noise amplifier application； high voltage； low noise； high hFE |
| 描述与应用 |
硅PNP外延型 音频高频低噪声放大器的应用; 高电压; 噪音低; HFE高 |
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