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2SA1416T
 型号：  2SA1416T
 标记/丝印/代码/打字：  ABT
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-89/PCP/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  400
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1416T ABT 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?100V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?200mV/-0.2V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Silicon PNP Epitaxial Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs.
描述与应用 硅PNP外延型的 特点 ?·采用FBET，MBIT过程。 ?·高击穿电压和大电流的能力。 ?·快速开关时间。 ?·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。
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