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2SA1603
 型号：  2SA1603
 标记/丝印/代码/打字：  TR
 厂家：  MITSUBISHI
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  30000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1603 TR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 180~390
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -300mV/-0.3V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) FEATURE ●Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent linearity of DC forward gain. ●Super mini package for easy mounting APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application
描述与应用 对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型） 特点 ●小集电极到发射极饱和电压。 ????????????????????VCE（sat）=-0.3V最大（@ IC =100mA时IB=-10mA的） ●直流前锋出色的线性度获得。 ●超小型封装，便于安装 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压 放大应用
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