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2SA1618-Y
 型号：  2SA1618-Y
 标记/丝印/代码/打字：  SY
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-153/SMV
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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2SA1618-Y SY 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -150mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 80MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 120~400
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -100mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 300mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ?Transistor silicon PNP epitaxial type(PCT process) ?audio frequency general purpuse amplifier application ?small package (dual type) ?high voltage and high current ?high hfe ?excellent hfe linearity ?complementary to 2SC4207
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?晶体管硅PNP外延式（PCT的进程） ?一般我厂开发音频放大器应用 ?小型封装（双类型） ?高电压和高电流 ?高HFE ?优秀HFE线性 ?互补2SC4207
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
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