2SA1647-Z-T1 A1647 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?150V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
90MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
18W |
| Description & Applications |
PNP silicon epitaxial transistor For high-speed switching FEATURES ? Available for high-current control in small dimension ? Z type is a lead processed product and is deal for mounting a hybrid IC. ? Low collector saturation voltage: VCE(sat) = ?0.3 V MAX. (@IC = ?3 A) ? Fast switching speed: tf = 0.4 μs MAX. (@IC = ?3 A) ? High DC current gain and excellent linearity |
| 描述与应用 |
PNP硅外延晶体管 对于高速切换 特点 ?可用于高电流控制在小尺寸 Z型是一种无铅的加工产品，是用于安装一处理 混合IC。 ?低集电极饱和电压： VCE（sat）=-0.3 V MAX。 （@ IC=-3 A） ?开关速度快： TF=0.4μs最大。 （@ IC=-3 A） ?高直流电流增益和良好的线性度 |
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