2SA1676 BL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-110mV/-0.11V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
PNP/NPN epitaxial planer silicon transistors Applications · Swicthing circuits, inverter circuits, interface circuits,driver circuits. Features · On-chip bias resistance : R1=47k?, R2=47k?. |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延刨床 硅晶体管 应用 ?·Swicthing电路，逆变器电路，接口电路，驱动器电路。 特点 ?·片上偏置电阻：R1=47kΩ上，R2=47kΩ的。 |
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