2SA1740E AKE 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-400V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?200mA/-0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
70MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?800mV/-0.8V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
PNP Epitaxial planar silicon transistor NPN triple diffused planar silicon transistor High-Voltage Driver Applications high breakdown voltage； adoption of MBIT process； excellent hFE linearity |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 NPN三重扩散平面硅晶体管 高电压驱动器应用 击穿电压高; 通过MBIT过程的; 出色的放大线性度 |
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