2SA1753-6 ES6 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-160mV/-0.16V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial Planar silicon transistors low collector-to-emitter saturation voltage； complementary to 2SA1753 |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN平面外延硅晶体管 低集电极 - 发射极饱和电压; 互补2SA1753 |
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