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2SA1832FT-GR
 型号：  2SA1832FT-GR
 标记/丝印/代码/打字：  SG
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-623/TESM
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1832FT-GR SG 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?150mA/-0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -100mV/-0.1V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications silicon PNP epitaxial type ? High voltage: VCEO = ?50 V ? High current: IC = ?150 mA (max) ? High hFE: hFE = 120 to 400 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = ?0.1 mA)/hFE (IC = ?2 mA) = 0.95 (typ.) ? Complementary to 2SC4738F
描述与应用 硅PNP外延型 ?高电压：VCEO=-50 V ?高电流：IC= -150 mA（最大） ?高HFE：HFE=120?400 ?优秀的HFE线性 ??HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）= 0.95（平均值） ?互补2SC4738F
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