2SA1896S-TD AMS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-220mV/-0.22V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features · Adoption of FBET processes. · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Small size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs. |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 特点 ?·采用的FBET过程。 ?·大电流容量。 ?·低集电极 - 发射极饱和电压。 ?·体积小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。 |
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