2SA1978 T93 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5.5GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20~100 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
|
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS ?High fT (in milimeters)fT = 5.5 GHz TYP. ?| S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = ?10 V, IC = ?15 mA ?High speed switching characteristics ?Equivalent NPN transistor is the 2SC2351. ?Alternative of the 2SA1424. |
| 描述与应用 |
PNP外延硅晶体管微波放大器 特点包装尺寸 ?高FT（毫米。）FT =5.5 GHz的TYP。 ?S21E| 2=10.0 dB（平均值）。 @ F =1.0 GHz时，VCE= -10 V，IC =-15毫安 ?高速开关特性 ?等效NPN晶体管2SC2351。 ?2SA1424替代。 |
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