2SA2030 BW 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
260MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
270~680 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar type Low frequency transistor Applications For switching, for muting. Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面型 低频晶体管 应用 对于开关，静音。 特点 1）集电极电流是很大的。 2）集电极饱和电压低 |
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