2SB1001BJ `BJ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-16V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~320 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar type Application ? Low frequency power amplifier ? Complementary pair with 2SD1367 |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面型 应用 ?低频功率放大器 ?互补配对2SD1367 |
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