2SB1119S-TD BBS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~280 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor LF Amp,Electronic governor application Features Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 LF放大器，电子调速器应用 特点 体积非常小，因此很容易提供高密度，小型混合IC。 |
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