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2SB1121T
 型号：  2SB1121T
 标记/丝印/代码/打字：  BDT
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-89/PCP/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  3000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1121T BDT 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?25V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -400mV/-0.4V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor High current driver applications Applications voltage regulators,relay drivers,lamp drivers. electrical equipment Features Low collector-to-emitter saturation voltage Large current capacity and wide ASO Fast switching speed Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 高电流驱动应用 应用 电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备 特点 低集电极 - 发射极饱和电压 大电流容量，广ASO 开关速度快 规模非常小，因此很容易提供高密度，小型混合IC
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