2SB1205T B1205T 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
320MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Strobe high current switching applications Applications Strobe，voltage regulators,relay drivers ,lamp drivers Feature Low saturation voltage Large current capacity Fast switching speed |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 频闪高电流开关应用 频闪，电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器 特点 低饱和电压 大电流容量 开关速度快 |
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