2SB1219A-R DR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?600mV/-0.6V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor For general amplification Complementary to 2SD1820A Features Large collector current IC S-Mini type package |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 对于一般的放大 补充型2SD1820A 特点 大集电极电流IC S-迷你型封装 |
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