2SB1260 T100P BEP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements to 2SD1898. |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高击穿电压和高电流。 2）良好的HFE线性。 3）低VCE（sat）的。 4）补充型2SD1898。 |
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