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2SB1462J
 型号：  2SB1462J
 标记/丝印/代码/打字：  A
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-523
 批号：  05+
 库存数量：  6000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1462J A 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 80MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 180~390
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?500mV/-0.5V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 125mW/0.125W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor For general amplification Complementary to 2SD2216J Features 1)High foward current transfer ratio hFE. 2)Mini Power type package
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 对于一般的放大 补充型2SD2216J 特点 1）高FOWARD的电流传输比HFE。 2）小功率型封装
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