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2SB789-R
 型号：  2SB789-R
 标记/丝印/代码/打字：  DR
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  2000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB789-R DR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?100V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?500mA/-0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 120MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 130~220
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?200mV/-0.2V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 1W
Description & Applications Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency driver amplification Complementary to 2SD968 and 2SD968A Features High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC
描述与应用 硅PNP外延刨床类型 对于低频驱动放大 2SD968互补和2SD968A 特点 高集电极发射极电压VCEO。 大集电极功耗PC
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