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2SB806
 型号：  2SB806
 标记/丝印/代码/打字：  KP
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+nopb200
 库存数量：  300
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB806 KP 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -120V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 75MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -400mV/-0.4V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 2W
Description & Applications PNP silicon epitaxial transistor power mini mold high collector to emitter complementary to 2SD1006 and 2SD1007
描述与应用 PNP硅外延晶体管电源小型模具 高集电极到发射极电压; 互补2SD1006 2SD1007
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