2SC2812RL7 L7 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
55V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~600 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
NPN Silicon epitaxial planer type Low frequency general purpose amplifier applications Features Mini package faciliates miniaturization in end products. High breakdown voltage |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 低频通用放大器应用 特点 迷你包以利于在终端产品的小型化。 高击穿电压 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
