2SC3326-B CCB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
300mA/0.3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
30MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
350~1200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
NPN Silicon epitaxial Transistors For muting and switching applications HIgh emitter-base voltage High reverse hFE Low on resistance High DC current gain small package |
| 描述与应用 |
NPN硅外延晶体管 对于静音和开关应用 发射极 - 基极电压高 高反向HFE 低导通电阻 高直流电流增益 小包装 |
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