2SC3900 SY 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
2.5V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor Switching Applications Swicthing circuits, inverter circuits, interface circuits,dirver circuits On-chip bias resistance : R1=47kohms Small-sized package |
描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 开关应用 Swicthing电路,逆变器电路,接口电路,驱动器产品电路 片上偏置电阻R1=47k? 小型包装 |
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