2SC4080E-TD C1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
200V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
200V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor High-Frequency Amp Wide-Band Amp Applications High fT High breakdown voltage Small reverse transfer capacitance and excellent high-frequency characteristic Adoption of FBET process |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高频放大器 宽带放大器应用 高FT 高击穿电压 小的反向传输电容和优良的高频特性 采纳FBET过程 |
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