2SC4504E CME 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
300mA/0.3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
2.2GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
NPN epitaxial planer Silicon transistor High-Definition CRT Display Video Output Driver Applications High fT Large current Adoption of FBET process |
| 描述与应用 |
NPN外延刨床硅的晶体管 高清晰度CRT显示器 视频输出驱动器应用 高FT 大电流 采纳FBET过程 |
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