2SC4539 KB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) power amplifier applications power switching applications Low Saturation Voltage High Speed Switching Time Small Flat Package Pc=1-2W |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） 功率放大器应用 电源开关的应用 低饱和电压 高速开关时间 小型扁平封装 PC= 1-2W |
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