2SC4649 TLN JN 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
20mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
39~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features ?Silicon PNP epitaxial planer type ?High transition frequency fT=500MHz(Typ) ?low output capacitance Cob=1.4pF(Typ) ?Low base resistance for high gain and excellent noise response |
| 描述与应用 |
特点 ?PNP硅外延平面型 ?高转换频率fT=500MHz的（典型值） ?低输出电容科夫=1.4pF（典型值） ?低基极电阻的高增益和良好的噪声响应 |
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