2SC4666 PB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
600~3600 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
120mV/0.12V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ?TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) ?Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ?High Voltage: VCEO = 50 V ?High collector Current: IC = 150 mA (max) ?High hFE: hFE = 600 ~ 3600 ?Small package |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT程序） ?音频通用放大器应用 ?高电压：VCEO= 50 V ?高集电极电流IC=150 mA（最大） ?高HFE：HFE=600?3600 ?小包装 |
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