2SC4841 MO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
15mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
10Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Features ?Silicon NPN epitaxial planar type ?Low noise figure High gain ?NF=1.8db |S21e|*2=8.5db Amplication ?VHL ~ UHF band low noise amplifier application |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅外延平面型 ?低噪声系数高增益 ?NF=1.8分贝| S21E| *2的=8.5分贝扩增 ?VHL?UHF频段低噪声放大器的应用 |
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