2SC5005 73 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5.5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~120 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD ? High fT : 5.0 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) ? Low Cre : 0.9 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) ? Ultra Super Mini Mold Package. (1.6 mm × 0.8 mm) |
描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?NPN硅外延晶体管3针超超MINI模具 ?高FT:5.5 GHz的TYP。 (@ VCE= 5 V,IC =5毫安,F =1千兆赫) ?低CRE:0.7 PF TYP。 (VCB=5 V,IE=0时,F =1兆赫) ?超超级迷你模具包装。 (1.6毫米×0.8毫米) |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |