2SC5376-B FB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
400mA/0.4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
130MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
500~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
15mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
transistor SILICON NPN EPITAXIAL TYPE Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Muting and Switching Applications ? Low Collector Saturation Voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) @IC = 10 mA/IB = 0.5 mA ? High Collector Current: IC = 400 mA (max) |
| 描述与应用 |
晶体管NPN硅外延型 音频通用放大器应用 静音和开关应用 ?低集电极饱和电压VCE（SAT）（1） ?=15毫伏 ??@ IC=10毫安/ IB= 0.5毫安 ?高集电极电流IC= 400 mA（最大） |
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