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2SC5408
 型号：  2SC5408
 标记/丝印/代码/打字：  T1E
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  05+
 库存数量：  800
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC5408 T1E 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 5V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 3V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 10mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 17GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70~140
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 30mW
Description & Applications NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURE ? High fT 17 GHz TYP. ? High gain |S21e|*2= 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC =7mA ? NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC=1mA ? 6-pin Small Mini Mold Package
描述与应用 NPN外延硅晶体管 微波高增益放大 特写 ?高FT 17 GHz的TYP。 ?高增益 | S21E|* 2 =15.5 dB典型值。 @ F =2 GHz时，VCE= 2 V，IC=7毫安 ?NF= 1.1 dB时，F =2 GHz的VCE= 2 V，IC=1MA ?6针小型微型模具包装
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