2SC5592 2T 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
110mV/0.11V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planer type For DC-DC converter For various driver circuits Features ? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) , large current capacitance ? High-speed switching ? Mini type 3-pin package, allowing downsizing and thinning of the equipment |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 用于DC-DC转换器 对于各种驱动电路 特点 ?低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） ?大电流 电容 ?高速开关 ?迷你型3引脚封装，允许裁员和变薄 的设备。 |
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