2SC5631JR JR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
80mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
11GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF Wide Band Amplifier Features ? High gain bandwidth product fT = 11 GHz typ. ? High power gain and low noise figure ; PG = 10 dB typ. , NF = 1.2 dB typ. at f = 900 MHz |
| 描述与应用 |
NPN硅外延 UHF/ VHF宽频带放大器 特点 ?高增益带宽积 FT =11 GHz的典型。 ?高功率增益和低噪声系数; PG=10分贝典型。 NF=1.2 dB典型值。在f =900 MHz的 |
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