2SC5702ZS-01ATR ZS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
8Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
80mW |
| Description & Applications |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator Features ? High gain bandwidth product fT = 8 GHz typ. ? High power gain and low noise figure ; PG = 13 dB typ., NF = 1.05 dB typ. at f = 900 MHz |
| 描述与应用 |
NPN硅外延 高频放大器/振荡器 特点 ?高增益带宽积 FT =8 GHz的典型。 ?高功率增益和低噪声系数; PG=13 dB，NF= 1.05 dB。在f =900 MHz的 |
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