2SC5810 3C 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
400~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<170mV/0.17V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
Silicon NPN Epitaxial Type Transistor High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications ? High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) ? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.17 V (max) ? High-speed switching: tf = 85 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
硅NPN外延型晶体管 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 ?高直流电流增益：HFE=400?1000（IC=0.1 A） ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）= 0.17 V（最大值） ?高速开关：TF =85 ns |
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