2SC58630QL 7HQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
300V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
70mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification ■ Features ? High collector-emitter voltage (Base open) VCEO ? High transition frequency fT |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 对于一般的放大 ■特点 ?高集电极 - 发射极电压（基本打开）VCEO ?高转换频率fT |
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