2SD1484K T146R YR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
medium power transistor feature * high current.(Ic=5A) *low saturation voltage. typically VCE(sat)=0.1V at Ic/Ib=150mA/15mA |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管 特点 *高电流（IC=5A）。 *低饱和电压。通常VCE（饱和）= 0.1V |
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