2SD1622T DET 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
120mV/0.12V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planer type darlington low frequency power amp amplification Features * very small size making it easy to provide high density hybird ics * adoption of FBET processes |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型达林顿 低频功率放大器放大 特点 *非常小的尺寸使其易于提供高密度摄录ICS *采用的FBET过程 |
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