2SD1767 T100Q DCQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
700mA/0.7A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~270 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Features Medium Power Transistor (-80V, -0.7A) *high breakdown voltage |
| 描述与应用 |
特点 中等功率晶体管（-80V，-0.7A） 高击穿电压 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
