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2SD2216
 型号：  2SD2216
 标记/丝印/代码/打字：  YR
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-523/SC-75
 批号：  05+
 库存数量：  15100
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD2216 YR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 210 ~ 340
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV/0.1V
耗散功率Pc Power Dissipation 125mW/0.125W
Description & Applications Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB1462J Features ? High forward current transfer ratio hFE ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
描述与应用 NPN硅外延平面型 对于一般的放大 互补2SB1462J的 特点 ?高正向电流传输比HFE ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat）
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