2SD2459 2ES 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
150V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
150V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
90MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
170~340 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
110mV/0.11V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Features High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. Mini Power type package and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 对于低频功率放大 特点 高集电极发射极电压VCEO。 大集电极功耗PC。 迷你功率型封装，通过自动插入带包装盒包装。 |
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