2SD2655WM-TL-E WM 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
280MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
160mV/0.16V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features ? Small size package: MPAK (SC–59A) ? Large Maximum current: IC = 1 A ? Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) ? High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) ? Complementary pair with 2SB1691 |
| 描述与应用 |
NPN硅外延刨床 低频功率放大器 特点 ?小型封装：MPAK（SC-59A） ?大最大电流：IC=1 ?低集电极到发射极饱和电压VCE（星期六）=0.3 V最大（IC / IB=0.5 A/0.05?）。 ?高功耗PC =800毫瓦（当使用氧化铝陶瓷板（25×60×0.7毫米）） ?互补配对2SB1691 |
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