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2SJ125
 型号：  2SJ125
 标记/丝印/代码/打字：  JD
 厂家：  MITSUBISHI
 封装：  SOT-23/SC59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel
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2SJ125 JD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50 V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage 50 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current －2.5~－6.0mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage 0.3~6.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications P CHANNEL JUNCTION TYPE < FIELD-EFFECT TRANSISTOR > 2SJ125 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION DESCRIPTION 2SJ125 is a small type resin sealed P channel junction type FET. It is especially designed for low frequency voltage amplify,analog switch application. FEATURE Small type for mounting. High lyfsl lyfsl = 4mS(typ) Low RDS(ON) RDS(ON)=220 Ω APPLICATION General purpose voltage amplify,analog switch circuit for stereo,cassette deck,VCR.
描述与应用 P通道结型 <场效应晶体管> 2SJ125 对于低频放大应用 说明 2SJ125是一个小密封型树脂P沟道结型场效应管。它是专为低频电压放大，模拟开关应用。 特点 小安装类型。 高lyfsl lyfsl = 4mS（典型值） 低RDS（ON）的RDS（ON）=220Ω 应用 通用电压放大，模拟开关电路立体声，盒式录音机，录像机。
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