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2SJ179
 型号：  2SJ179
 标记/丝印/代码/打字：  PA
 厂家：  NEC
 封装：  S0T-89/SC-62
 批号：  07NOPB
 库存数量：  70
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ179 PA 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.4Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -2.2--3.0
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance Bidirectional zener diode for protection is incorporated between gate and source Inductive loads can be driven without protective circuit thanks to the improved breakdown voltage between drain and source
描述与应用 MOS场效应晶体管 P-通道 MOS FET 用于高速开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻 保护纳入栅极和源极之间双向齐纳二极管 可以驱动感性负载没有保护电路由于漏极和源极之间的击穿电压提高
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